英飛凌IGBT 模塊共有八個(gè)耐壓等級供用戶選擇：
400 V 600V 650V 1200V 1700V 3300V 4500V 6500V
其中每種耐壓等級又有多種芯片類型供用戶選擇.可以按開關(guān)頻率,從型號后綴進(jìn)行區(qū)分。
英飛凌(Infineon)，優(yōu)派克（eupec）
600V系列英飛凌igbt
1200V系列英飛凌igbt
1600V系列英飛凌igbt
1700V系列英飛凌igbt
3300V系列英飛凌igbt
6500V系列英飛凌igbt
DN2系列：頻率范圍10KHZ-20KHZ，飽和壓降：2.5V-3.1V
DN2系列：頻率范圍4KHZ-8KHZ，飽和壓降：2.1V-2.4V
KS4系列：頻率范圍15KHZ-30KHZ，飽和壓降：3.2V-3.85V
KE3系列：頻率范圍4KHZ-10KHZ，飽和壓降：1.7V-2.0V
KT3系列：頻率范圍8KHZ-15KHZ，飽和壓降：1.7V-1.9V
EUPEC IGBT器件（含稅價(jià),IGBT型號中的電流值按TC=80℃時(shí)標(biāo)稱，后面電流值按TC=25℃時(shí)標(biāo)稱）
1、兩單元――1200V/1700V/3300V/6500V系列
2、兩單元――600V系列
3、六單元（低飽和壓降型）
4、功率集成模塊（三相橋＋七單元＋溫度傳感器
5、一單元--1200V/1700V
6、四單元 （H橋 30KHZ高頻）
英飛凌 IGBT單管 600V/1200V
特點(diǎn)：
☆采用溝槽柵+電場終止層（Field stop）IGBT工藝技術(shù)
☆參數(shù)離散性小，便于批量生產(chǎn)使用
☆可靠性高，高溫性能穩(wěn)定，特性優(yōu)異，具有*優(yōu)的性能價(jià)格比
☆型號中電流按Tc=100℃時(shí)標(biāo)稱，有效使用電流大
☆600V IGBT單管*大工作結(jié)溫可達(dá)Tjmax≤175℃
☆內(nèi)置反并聯(lián)軟、快恢復(fù)（Emcon）高效二極管
☆正溫被系數(shù)飽和壓降易于并聯(lián)
五、英飛凌 快恢復(fù)二極管 600V/1200V
特點(diǎn)：
☆I(lǐng)nfineon磚利技術(shù)生產(chǎn)（Emcon）快速軟恢復(fù)二極管；反向恢復(fù)軟度因子 S<4.4
☆低反向恢復(fù)電荷 Qrr<2900nc
☆低正向?qū)▔航?VF=1.5V 且不隨溫度升高而升高,易于并聯(lián).
☆*高工作結(jié)溫高達(dá) Tj=175℃ 高溫特性好
6500V系列
|
產(chǎn)品型號 |
Ic(A) |
Vce(sat) |
ton |
toff |
Rth(j-c) |
封裝 |
|
Tc=80℃ |
Max(V) |
(us) |
(us) |
K/W |
||
|
FZ200R65KF2 |
200 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.033 |
IHV 73mm |
|
FZ200R65KF1 |
200 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.033 |
IHV 73mm |
|
FZ400R65KF2 |
400 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.017 |
IHV 130mm |
|
FZ400R65KF1 |
400 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.017 |
IHV 130mm |
|
FZ600R65KF2 |
600 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.011 |
IHV 190mm |
|
FZ600R65KF1 |
600 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.011 |
IHV 190mm |
|
FD200R65KF1-K |
200 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.033 |
IHV 130mm |
|
FD400R65KF1-K |
400 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.017 |
IHV 190mm |
|
DD200S65K1 |
200 |
- |
- |
- |
0.063 |
IHV 130mm |
|
DD400S65K1 |
400 |
- |
- |
- |
0.032 |
IHV 130mm |
|
DD600S65K1 |
600 |
- |
- |
- |
0.021 |
IHV 130mm |
